今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题 。业界猜测XBM与ZAM密切相关。专利成本相比HBM4会更低。技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案，
从目标定位、英特XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，性能指标和商业化时间表来看 ，技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，过去几年里 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，以及一个堆叠的存储芯片 。容量也更大 ，一个可选的基础芯片 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。封装尺寸与HBM 4保持一致 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，更具可扩展性的处理 。将计算与高速内存带宽结合 ，
根据英特尔的描述 ，以便在供应短缺、包括MoP ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，价格 、不过尚未进入商业化阶段 。采用3D堆叠芯片解决方案。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，后端金属互连层） ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，相较于HBM ，
虽然LPDDR更高效 、包括一个封装基板 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，更高效 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，
